对比图
型号 1N5538B-1TR JAN1N5538B-1 JANTX1N5538B-1
描述 DO-35 18V 0.5W(1/2W)JAN 系列 18 V 200 mA 500 mW 通孔 齐纳 二极管 - DO-35无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 齐纳二极管齐纳二极管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 2 2
封装 DO-35 DO-35 DO-35
容差 - ±5 % ±5 %
正向电压 - 1.1V @200mA 1.1V @200mA
耗散功率 500 mW 0.5 W 417 mW
测试电流 - 1 mA 1 mA
稳压值 18 V 18 V 18 V
额定功率(Max) - 500 mW 500 mW
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃
封装 DO-35 DO-35 DO-35
工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Bag Bag
RoHS标准 - Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 - Contains Lead