CY7C1565KV18-500BZI和CY7C1565KV18-500BZXI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1565KV18-500BZI CY7C1565KV18-500BZXI

描述 72 - Mbit的QDR -II SRAM + 4字突发架构 72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture72 - Mbit的QDR -II SRAM + 4字突发架构 72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture

数据手册 --

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165

封装 FBGA-165 LBGA-165

位数 36 36

存取时间 0.45 ns -

存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

电源电压(Max) 1.9 V -

电源电压(Min) 1.7 V -

封装 FBGA-165 LBGA-165

高度 - 0.89 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead 无铅

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