BST80和BST86

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BST80 BST86 BSS87L6327

描述 N沟道增强型垂直的D- MOS晶体管 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistorN沟道增强型垂直的D- MOS晶体管 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor240V,0.26A,N沟道功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-89 SOT-89 SOT-89

引脚数 3 - 3

极性 N-CH N-CH N-Channel

漏源极电压(Vds) 80 V 180 V 240 V

连续漏极电流(Ids) 0.5A 0.3A 260 mA

额定电压(DC) - - 240 V

额定电流 - - 260 mA

输入电容 - - 97.0 pF

栅电荷 - - 5.50 nC

输入电容(Ciss) - - 97pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 1 W

封装 SOT-89 SOT-89 SOT-89

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 - - Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

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