6116SA20SOG和CY22E016L-SZ45XI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 6116SA20SOG CY22E016L-SZ45XI IDT6116SA20SO

描述 静态随机存取存储器 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, 静态随机存取存储器16千位( 2K ×8 )的nvSRAM 16 Kbit (2K x 8) nvSRAMCMOS静态RAM 16K ( 2K ×8位) CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-24 SOIC-28 SOIC-24

引脚数 24 - -

存取时间 20 ns 45 ns -

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

长度 15.4 mm 18.11 mm -

宽度 7.6 mm 7.62 mm -

高度 2.34 mm 2.37 mm -

封装 SOIC-24 SOIC-28 SOIC-24

厚度 2.34 mm - -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tube, Rail - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

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