PSMN2R2-40PS@127和STP200NF04

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PSMN2R2-40PS@127 STP200NF04 STP100NF04

描述 PSMN2R2-40PS@127N 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsN 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 - TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - 40.0 V 40.0 V

额定电流 - 120 A 120 A

通道数 - 1 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.0033 Ω 0.0046 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 - 310 W 300 W

阈值电压 - 4 V 4 V

漏源极电压(Vds) - 40 V 40 V

漏源击穿电压 - 40.0 V 40 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) - 120 A 120 A

上升时间 - 320 ns 220 ns

输入电容(Ciss) - 5100pF @25V(Vds) 5100pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 310 W 300 W

下降时间 - 120 ns 50 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 310W (Tc) 300000 mW

长度 - 10.4 mm 10.4 mm

宽度 - 4.6 mm 4.6 mm

高度 - 15.75 mm 9.15 mm

封装 - TO-220-3 TO-220-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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