IDT6116LA45TDB和IDT6116SA45TPGI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDT6116LA45TDB IDT6116SA45TPGI 6116LA45TPG

描述 CMOS静态RAM 16K ( 2K ×8位) CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)IC SRAM 16Kbit 45NS 24DIPSRAM Chip Async Single 5V 16Kbit 2K x 8 45ns 24Pin PDIP Tube

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

封装 DIP DIP-24 DIP

引脚数 - - 24

电源电压 - 4.5V ~ 5.5V 5 V

工作温度(Max) - - 70 ℃

工作温度(Min) - - 0 ℃

封装 DIP DIP-24 DIP

高度 - - 3.3 mm

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Tube, Rail Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead 无铅 -

ECCN代码 3A001 EAR99 -

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