SI7964DP-T1-E3和SI7964DP-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI7964DP-T1-E3 SI7964DP-T1-GE3

描述 MOSFET DUAL N-CH 60V 8-SOICMOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8

数据手册 --

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SO-8 SO-8

引脚数 8 -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V

额定功率(Max) 1.4 W 1.4 W

极性 Dual N-Channel -

连续漏极电流(Ids) 9.60 A -

封装 SO-8 SO-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

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