E-L6561D和L6562DTR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 E-L6561D L6562DTR L6562D

描述 功率因数校正 - PFC Wide Input VoltagePFC控制器STMICROELECTRONICS  L6562D  芯片, 功率因子校正器

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 DC/DC转换器电源管理电源管理

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 11.0V (min) 22.0V (max) 22.0V (max)

输出接口数 1 1 -

输出电流 400 mA - 800 mA

耗散功率 650 mW - 650 mW

输入电压(Max) 18 V - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 11V ~ 18V 10.3V ~ 22V 10.3V ~ 22V

针脚数 - 8 8

开关频率 - 1 MHz 1 MHz

电源电压(Max) - 22 V 22 V

电源电压(Min) - 10.3 V 10.3 V

频率 - - 70 kHz

工作电压 - - 10.3V ~ 22V

额定功率 - - 650 mW

输入电流 - - 2.50 mA

长度 5 mm 5 mm 5 mm

宽度 4 mm 4 mm 4 mm

高度 1.25 mm 1.25 mm 1.25 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -25℃ ~ 125℃ -25℃ ~ 125℃ -25℃ ~ 125℃

产品生命周期 Unknown Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 - NLR -

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