BAS19-TP和BAS19LT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BAS19-TP BAS19LT1G BAS19,235

描述 二极管 - 通用,功率,开关 200mA 120VON SEMICONDUCTOR  BAS19LT1G  二极管 小信号, 单, 120 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA* Small plastic SMD package * Switching speed: max. 50ns * General application * Continuous reverse voltage: max. 100V; 150V; 200V * Repetitive peak reverse voltage: max. 120V; 200V; 250V * Repetitive peak forward current: max. 625mA. * AEC-Q101 qualified

数据手册 ---

制造商 Micro Commercial Components (美微科) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 TVS二极管小信号二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

电容 5.00 pF 5 pF -

无卤素状态 - Halogen Free -

输出电流 ≤200 mA ≤200 mA -

负载电流 - 0.2 A -

针脚数 - 3 -

正向电压 1.25V @200mA 1.25 V 1.25V @200mA

极性 Standard Standard -

耗散功率 250 mW 385 mW -

热阻 - 417℃/W (RθJA) -

反向恢复时间 50 ns 50 ns 50 ns

正向电流 200 mA 200 mA -

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 625 mA -

正向电压(Max) 1.25V @200mA 1.25 V 1.25V @200mA

正向电流(Max) 0.2 A 200 mA -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -

工作结温(Max) - 150 ℃ -

耗散功率(Max) 350 mW 300 mW -

工作结温 - - 150℃ (Max)

长度 3.04 mm 3.04 mm -

宽度 1.4 mm 1.3 mm 1.4 mm

高度 1.12 mm 0.94 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

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