对比图
型号 PH5525L PH5525L,115 PH5525LT/R
描述 N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET N-channel TrenchMOS logic level FETTrans MOSFET N-CH 25V 81.7A 5Pin(4+Tab) LFPAK T/RPower Field-Effect Transistor
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)
分类 MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
封装 SOT-669 SOT-669 -
引脚数 - 5 -
极性 N-CH - -
漏源极电压(Vds) 25 V 25 V -
连续漏极电流(Ids) 81.7A - -
输入电容(Ciss) 2150pF @12V(Vds) 2150pF @12V(Vds) -
额定功率(Max) 62.5 W - -
耗散功率 - 62.5 W -
上升时间 - 55 ns -
下降时间 - 17 ns -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 62.5W (Tc) -
封装 SOT-669 SOT-669 -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Unknown Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -
含铅标准 - Lead Free -