STB13NK60Z-1和STB6NK60Z-1

对比图

型号 STB13NK60Z-1 STB6NK60Z-1 SSI7N60BTU

描述 N沟道600V - 0.48ヘ-13A - TO- 220 / FP - D / IPAK - TO- 247齐纳保护SuperMESH⑩ MOSFET N-CHANNEL 600V-0.48ヘ-13A-TO-220/FP-D/IPAK-TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩ MOSFETN沟道600 V - 1ヘ - 6 A - TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK / I2PAK齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-channel 600 V - 1 ヘ - 6 A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩ Power MOSFETN沟道 600V 7A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

引脚数 3 3 -

封装 I2PAK TO-262-3 TO-262

安装方式 - Through Hole Surface Mount

极性 N-CH - N-Channel

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 13A - 7.00 A

上升时间 14 ns 14 ns -

输入电容(Ciss) 2030pF @25V(Vds) 905pF @25V(Vds) -

下降时间 12 ns 19 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 150000 mW 110W (Tc) -

耗散功率 - 110W (Tc) 3.13 W

输入电容 - 905 pF -

额定功率(Max) - 110 W -

漏源极电阻 - - 1.20 Ω

漏源击穿电压 - - 600 V

栅源击穿电压 - - ±30.0 V

封装 I2PAK TO-262-3 TO-262

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 - - EAR99