AD712JR-REEL7和AD712JRZ

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AD712JR-REEL7 AD712JRZ TLE2082ACD

描述 双路精密,低成本,高速BiFET运算放大器 Dual Precision, Low Cost, High Speed BiFET Op AmpANALOG DEVICES  AD712JRZ  运算放大器, 双路, 3 MHz, 2个放大器, 16 V/µs, ± 4.5V 至 ± 18V, SOIC, 8 引脚JFET 输入运算放大器,Excalibur TLE 系列与早期系列的 JFET 输入放大器相比,Texas Instruments Excalibur 系列 BiFET 运算放大器具有显著改进。 TLE2060 系列是低功率 JFET 输入运算放大器,与早期 TL060 和 TL030 BiFET 系列相比,带宽加倍,但功耗无显著增加;此外,它们与 TL030/TL060 设备相比噪音更低。 与早期 TL070 和 TL080 系列相比,TLE2070 和 TLE2080 系列的带宽超过其两倍,转换速率是其三倍,且噪音级别更低。 它们还可在高达 ±19V 的更高电源电压下工作。### 运算放大器,Texas Instruments

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) ADI (亚德诺) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 - - ≤80 mA

供电电流 5 mA 5 mA 3.1 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

耗散功率 - - 0.725 W

共模抑制比 70 dB 70 dB 70 dB

输入补偿漂移 - - 2.40 µV/K

带宽 - 3 MHz 9.40 MHz

转换速率 20.0 V/μs 16.0 V/μs 40.0 V/μs

增益频宽积 3 MHz 3 MHz 9.4 MHz

输入补偿电压 300 µV 300 µV 4 mV

输入偏置电流 25 pA 25 pA 20 pA

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

增益带宽 - - 10 MHz

耗散功率(Max) - - 725 mW

共模抑制比(Min) - 70 dB 70 dB

电源电压(DC) - 15.0 V -

针脚数 - 8 -

输入电容 5.50 pF 5.50 pF -

输入阻抗 3.00 TΩ 3.00 TΩ -

3dB带宽 4 MHz 4 MHz -

长度 5 mm 5 mm 4.9 mm

宽度 4 mm 4 mm 3.91 mm

高度 1.5 mm 1.5 mm 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 End of Life Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

军工级 Yes Yes -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

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