DTA114YUAT106和DTA114YUBTL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DTA114YUAT106 DTA114YUBTL DTA114YETL

描述 PNP 晶体管,ROHM### Digital Transistors, ROHMResistor-equipped bipolar transistors, also known as “Digital Transistors” or “Bias Resistor Transistors”, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available.晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 电阻比率PNP -100mA -50V数字晶体管(偏置电阻内置晶体管) PNP -100mA -50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SC-70-3 UMT-3F-3 SC-75-3

额定功率 0.2 W 0.2 W 0.15 W

输出电压 - 0.1 V -

极性 PNP, P-Channel PNP PNP

耗散功率 0.2 W 0.2 W 0.15 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 68 @5mA, 5V 68 @5mA, 5V 68 @5mA, 5V

额定功率(Max) 200 mW 200 mW 150 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

增益带宽 250 MHz 250 MHz 250 MHz

耗散功率(Max) 200 mW 200 mW 150 mW

额定电压(DC) -50.0 V - -50.0 V

额定电流 -70.0 mA - -70.0 mA

最大电流放大倍数(hFE) 68 - -

封装 SC-70-3 UMT-3F-3 SC-75-3

长度 2.1 mm - -

宽度 1.35 mm - -

高度 0.9 mm - -

产品生命周期 Not Recommended Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃

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