对比图
型号 STW18NM80 STW26NM60N SPP07N60C3
描述 STMICROELECTRONICS STW18NM80 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 800 V, 0.25 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STW26NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.135 ohm, 10 V, 3 VINFINEON SPP07N60C3.. 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-220-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.25 Ω 0.135 Ω 0.54 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 190 W 140 W 83 W
阈值电压 4 V 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 800 V 600 V 650 V
上升时间 28 ns 25 ns 3.5 ns
输入电容(Ciss) 2070pF @50V(Vds) 1800pF @50V(Vds) 790pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 190 W 140 W 83 W
下降时间 50 ns 50 ns 7 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 190W (Tc) 140W (Tc) -
输入电容 - 1800 pF -
连续漏极电流(Ids) - 20A 7.30 A
额定电压(DC) - - 650 V
额定电流 - - 7.30 A
通道数 - - 1
工作结温(Max) - - 150 ℃
长度 15.75 mm 15.75 mm 10 mm
宽度 5.15 mm 5.15 mm 4.4 mm
高度 20.15 mm 20.15 mm 15.65 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-220-3
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
香港进出口证 NLR NLR NLR