IS42S32160B-75ETLI-TR和IS42S32160F-75ETLI-TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42S32160B-75ETLI-TR IS42S32160F-75ETLI-TR

描述 DRAM Chip SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 86Pin TSOP-II T/R动态随机存取存储器 512M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 86 pin TSOP II, RoHS, IT, T&R

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TFSOP-86 TSOP-86

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

存取时间 - 6 ns

工作温度(Max) - 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

封装 TFSOP-86 TSOP-86

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准

含铅标准 无铅 无铅

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