71T75602S133BGI和IDT71T75602S133BGI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71T75602S133BGI IDT71T75602S133BGI 71T75602S133BGGI8

描述 ZBT SRAM, 512KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22MM, MS-028AA, BGA-119512K ×36 , 1M ×18 2.5V同步ZBT⑩ SRAM的2.5VI / O,突发计数器输出流水线 512K x 36, 1M x 18 2.5V Synchronous ZBT⑩ SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined OutputsIC SRAM 18Mbit 133MHz 119BGA

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 119 - 119

封装 BGA-119 BGA PBGA-119

存取时间 4.2 ns - -

工作温度(Max) 85 ℃ - -

工作温度(Min) 40 ℃ - -

电源电压 2.375V ~ 2.625V - 2.375V ~ 2.625V

电源电压(Max) 2.625 V - -

电源电压(Min) 2.375 V - -

长度 14 mm - 14.0 mm

宽度 22 mm - 22.0 mm

高度 2.15 mm - -

封装 BGA-119 BGA PBGA-119

厚度 2.15 mm - 2.15 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) - -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tray Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant -

含铅标准 Contains Lead - Lead Free

ECCN代码 - 3A991 -

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