IS49NLS18160-33BL和MT49H16M18FM-25

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS49NLS18160-33BL MT49H16M18FM-25 MT49H16M18FM-33

描述 DRAM Chip RLDRAM2 288M-Bit 16M x 18 1.8V/2.5V 144Pin FCBGADRAM Chip RLDRAM 288Mbit 16Mx18 1.8V 144Pin UBGA TrayDRAM Chip RLDRAM 288Mbit 16Mx18 1.8V 144Pin UBGA Tray

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

封装 FCBGA-144 BGA BGA

安装方式 Surface Mount - -

引脚数 144 - -

额定电压(DC) - 1.80 V 1.80 V

工作电压 - 1.80 V 1.80 V

工作温度(Max) 70 ℃ - -

工作温度(Min) 0 ℃ - -

电源电压 1.7V ~ 1.9V - -

封装 FCBGA-144 BGA BGA

高度 0.8 mm - -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tray - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 95℃ -

ECCN代码 - EAR99 -

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