对比图
型号 PMBFJ108T/R PN5432 PMBFJ108
描述 TRANSISTOR 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, FET General Purpose Small SignalN沟道开关 N-Channel SwitchN-channel junction FETs
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童) Philips (飞利浦)
分类 晶体管JFET晶体管
安装方式 Surface Mount Through Hole -
封装 SOT-23 TO-226-3 -
引脚数 - 3 -
额定电压(DC) 25.0 V 25.0 V -
额定电流 80.0 mA 150 mA -
漏源极电压(Vds) 25.0 V 25.0 V -
连续漏极电流(Ids) 80.0 mA 10.0 mA -
漏源极电阻 - 5 Ω -
极性 - N-Channel -
耗散功率 - 350 mW -
击穿电压 - 25 V -
输入电容(Ciss) - 30pF @10V(Vgs) -
额定功率(Max) - 350 mW -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 350 mW -
封装 SOT-23 TO-226-3 -
高度 - 5.33 mm -
产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown
包装方式 Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) Bulk -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
ECCN代码 - EAR99 -