JAN2N3634和JANS2N3634L

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N3634 JANS2N3634L JANTX2N3634

描述 PNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTORPNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTORPNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-39 TO-5 TO-39

耗散功率 - - 1 W

击穿电压(集电极-发射极) 140 V - 140 V

最小电流放大倍数(hFE) 50 @50mA, 10V - 50 @50mA, 10V

额定功率(Max) 1 W - 1 W

工作温度(Max) 200 ℃ - 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 1000 mW - 1000 mW

封装 TO-39 TO-5 TO-39

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) - -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag - Bag

RoHS标准 Non-Compliant - Non-Compliant

含铅标准 -

ECCN代码 - - EAR99

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