BCP56-10E6433和BCP56-16E6327

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCP56-10E6433 BCP56-16E6327 BCP56-16

描述 SOT-223 NPN 80V 1A用于AF的驱动级和输出级 For AF driver and output stagesNPN硅晶体管自动对焦 NPN Silicon AF Transistors

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-223 SOT-223 SOT-223

引脚数 - 4 -

额定功率 - - 960 mW

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

最小电流放大倍数(hFE) - - 100 @150mA, 2V

额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V -

额定电流 1.00 A 1.00 A -

极性 NPN NPN -

集电极最大允许电流 1A 1A -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 2000 mW -

封装 SOT-223 SOT-223 SOT-223

工作温度 - - 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Not Recommended

包装方式 Tape Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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