IS43DR16160A-5BBLI和IS43DR16160B-37CBLI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS43DR16160A-5BBLI IS43DR16160B-37CBLI

描述 256M, 1.8V, DDR2, 16Mx16, 200MHz @ CL3, 84 Ball BGA (8mmx12.5mm) , IT动态随机存取存储器 256Mb, 1.8V, 267MHz 16Mx16 DDR2 S动态随机存取存储器

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 84 84

封装 BGA-84 TFBGA-84

供电电流 210 mA 205 mA

时钟频率 - 266 MHz

位数 16 16

存取时间 - 500 ps

存取时间(Max) 0.6 ns 0.5 ns

工作温度(Max) 95 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

封装 BGA-84 TFBGA-84

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99

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