对比图
型号 7200L12TPG IDT7200L12SOG 7200L12TP
描述 先进先出 ASYNCHRONOUS 先进先出FIFO（先进先出）存储器，IDT### FIFO（先进先出）存储器先进先出 256 X 9 CMOS PARALLEL FIF
数据手册 ---
制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)
分类 FIFOFIFOFIFO
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
引脚数 28 28 28
封装 PDIP-28 SOIC DIP-28
电路数 1 - 1
存取时间 12 ns - 12 ns
工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V - 4.5V ~ 5.5V
电源电压(Max) 5.5 V - -
电源电压(Min) 4.5 V - -
封装 PDIP-28 SOIC DIP-28
长度 - 17.9 mm 34.3 mm
宽度 - 8.4 mm 7.62 mm
高度 - 2.62 mm 3.3 mm
厚度 - - 3.30 mm
工作温度 0℃ ~ 70℃ - 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
ECCN代码 - EAR99 -