6116LA45DB和IDT6116LA45P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 6116LA45DB IDT6116LA45P

描述 SRAM Chip Async Single 5V 16Kbit 2K x 8 45ns 24Pin CDIP TubeCMOS静态RAM 16K ( 2K ×8位) CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)

数据手册 --

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole -

引脚数 24 -

封装 CDIP-24 DIP

存取时间 45 ns -

工作温度(Max) 125 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -

电源电压(Max) 5.5 V -

电源电压(Min) 4.5 V -

长度 32 mm -

宽度 15.24 mm -

高度 2.9 mm -

封装 CDIP-24 DIP

厚度 2.90 mm -

工作温度 55℃ ~ 125℃ -

产品生命周期 Active Unknown

包装方式 Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant -

含铅标准 Contains Lead -

ECCN代码 - EAR99

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