BZX55C6V8-G和BZX55C6V8-TAP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZX55C6V8-G BZX55C6V8-TAP BZX55-C6V8

描述 DO-35 6.8V 0.5W(1/2W)500mW,BZX55C 系列,Vishay Semiconductor小信号齐纳二极管 超剧烈反向特性 低反向电流电平 非常高的稳定性 低噪声 符合 AEC-Q101 ### 齐纳二极管,Vishay Semiconductor500 mWatt Zener Diode 2.42 to 47 Volts

数据手册 ---

制造商 Sensitron Semiconductor Vishay Semiconductor (威世) Micro Commercial Components (美微科)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

封装 DO-35 DO-35 DO-35

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 - 2 -

封装 DO-35 DO-35 DO-35

长度 - 3.9 mm -

宽度 - 1.7 mm -

高度 - 1.7 mm -

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

包装方式 - Cut Tape (CT) -

容差 - ±5 % -

额定功率 - 0.5 W -

击穿电压 - 7.20 V -

正向电压 - 1.5V @200mA -

耗散功率 500 mW 500 mW -

测试电流 - 5 mA -

稳压值 6.8 V 6.8 V -

额定功率(Max) - 500 mW -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 500 mW -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司