1N5524B和JANTXV1N5524B-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N5524B JANTXV1N5524B-1

描述 DO-35 5.6V 400mW低电压表面贴装500 mW的雪崩二极管 Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes

数据手册 --

制造商 Central Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 DO-35 DO-35

引脚数 - 2

耗散功率 400 mW 0.5 W

稳压值 5.6 V 5.6 V

测试电流 - 3 mA

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

容差 - ±5 %

正向电压 - 1.1V @200mA

额定功率(Max) - 500 mW

封装 DO-35 DO-35

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Bag

RoHS标准 - Non-Compliant

含铅标准 -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃

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