对比图
型号 JAN2N6298 JANTX2N6299 2N6298E3
描述 PNP达林顿功率硅晶体管 PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTORPNP达林顿功率硅晶体管 PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTORDarlington Transistors
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole -
封装 TO-213 TO-66 -
引脚数 - 3 -
击穿电压(集电极-发射极) 60 V 80 V -
最小电流放大倍数(hFE) 750 @4A, 3V 750 @4A, 3V -
额定功率(Max) 64 W 64 W -
耗散功率 - 75 W -
工作温度(Max) - 175 ℃ -
工作温度(Min) - -65 ℃ -
耗散功率(Max) - 64000 mW -
封装 TO-213 TO-66 -
工作温度 -65℃ ~ 175℃ (TJ) -65℃ ~ 175℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk Tray -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 -
ECCN代码 - EAR99 -