JAN2N6298和JANTX2N6299

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N6298 JANTX2N6299 2N6298E3

描述 PNP达林顿功率硅晶体管 PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTORPNP达林顿功率硅晶体管 PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTORDarlington Transistors

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-213 TO-66 -

引脚数 - 3 -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 80 V -

最小电流放大倍数(hFE) 750 @4A, 3V 750 @4A, 3V -

额定功率(Max) 64 W 64 W -

耗散功率 - 75 W -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 64000 mW -

封装 TO-213 TO-66 -

工作温度 -65℃ ~ 175℃ (TJ) -65℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tray -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 -

ECCN代码 - EAR99 -

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