KSA1182YMTF和KSA1182YMTF_NL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSA1182YMTF KSA1182YMTF_NL

描述 集成电路PNP Epitaxial Silicon Transistor

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 -

封装 SOT-23-3 SOT-23

耗散功率 0.15 W -

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V

最小电流放大倍数(hFE) 120 @100mA, 1V -

额定功率(Max) 150 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 150 mW -

频率 200 MHz -

额定电压(DC) -30.0 V -

额定电流 -500 mA -

极性 PNP PNP

增益频宽积 200 MHz -

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A

最大电流放大倍数(hFE) 240 -

封装 SOT-23-3 SOT-23

高度 0.93 mm -

材质 Silicon -

工作温度 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -

ECCN代码 EAR99 EAR99

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