1N5252C-TAP和TC1N5252B

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N5252C-TAP TC1N5252B 1N5252B-TP

描述 DIODE 24V, 0.5W(1/2W), SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35, GLASS PACKAGE-2, Voltage Regulator DiodeDO-35 24V 0.5W(1/2W)DO-35 24V 0.5W(1/2W)

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) TAK Cheong Micro Commercial Components (美微科)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-35 DO-35 DO-35-2

引脚数 - - 2

耗散功率 500 mW 500 mW 500 mW

稳压值 24 V 24 V 24 V

额定电压(DC) - - 24.0 V

容差 ±2 % - ±5 %

额定功率 - - 500 mW

正向电压 1.1V @200mA - 1.1V @200mA

测试电流 5.2 mA - 5.2 mA

正向电压(Max) - - 1.1V @200mA

额定功率(Max) 500 mW - 500 mW

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - 55 ℃

耗散功率(Max) 500 mW - -

封装 DO-35 DO-35 DO-35-2

长度 - - 4.2 mm

宽度 - - 2 mm

高度 - - 2 mm

产品生命周期 Active Active Not Recommended

包装方式 Ammo Pack - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 - 无铅

工作温度 -65℃ ~ 200℃ - -55℃ ~ 150℃

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