70V657S12BFGI8和70V657S12BFI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 70V657S12BFGI8 70V657S12BFI 70V657S12BFGI

描述 IC SRAM 1.125Mbit 12NS 208CABGA静态随机存取存储器 32Kx36 STD-PWR, 3.3V DUAL-PORT RAMDual-Port SRAM, 32KX36, 12ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15MM, 1.4MM HEIGHT, 0.8MM PITCH, GREEN, FPBGA-208

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 - - Surface Mount

引脚数 208 208 208

封装 LFBGA-208 CABGA-208 CABGA-208

存取时间 - 12 ns 12 ns

工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ 40 ℃

电源电压 3.15V ~ 3.45V 3.15V ~ 3.45V 3.15V ~ 3.45V

电源电压(Max) - - 3.45 V

电源电压(Min) - - 3.15 V

长度 15.0 mm 15 mm 15 mm

宽度 15.0 mm 15 mm 15 mm

高度 - 1.4 mm 1.4 mm

封装 LFBGA-208 CABGA-208 CABGA-208

厚度 1.40 mm 1.40 mm 1.40 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube, Rail Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

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