AUIRLR2703TR和IRLR2703TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AUIRLR2703TR IRLR2703TRPBF IRLR2703PBF

描述 DPAK N-CH 30V 23A单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3INFINEON  IRLR2703PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 30 V, 45 mohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 45 W - 38 W

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 45 mΩ 65 mΩ 0.045 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 45 W 45 W 38 W

阈值电压 - 1 V 1 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 23A 23A 23A

上升时间 140 ns 140 ns 140 ns

输入电容(Ciss) 450pF @25V(Vds) 450pF @25V(Vds) 450pF @25V(Vds)

下降时间 20 ns 20 ns 20 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 45000 mW 45W (Tc) 45W (Tc)

通道数 1 1 -

漏源击穿电压 30 V 30 V -

输入电容 - 450 pF -

额定功率(Max) - 45 W -

长度 6.5 mm 6.73 mm 6.73 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.3 mm 2.3 mm 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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