EMG2DXV5T5G和EMG5DXV5T1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 EMG2DXV5T5G EMG5DXV5T1 EMG2DXV5T1G

描述 ON Semiconductor### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。双偏置电阻晶体管NPN硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Dual Bias Resistor Transistors NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network双偏置电阻晶体管NPN硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Dual Bias Resistor Transistors NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 5 - 5

封装 SOT-553-5 SOT-553-5 SOT-553

额定电压(DC) 50.0 V - 50.0 V

额定电流 100 mA - 100 mA

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 230 mW 230 mW 338 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V 80 80 @5mA, 10V

额定功率(Max) 230 mW - 230 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 338 mW - 338 mW

无卤素状态 Halogen Free - -

最大电流放大倍数(hFE) 80 80 -

高度 0.6 mm 0.6 mm 0.55 mm

封装 SOT-553-5 SOT-553-5 SOT-553

长度 1.7 mm 1.7 mm -

宽度 1.3 mm 1.3 mm -

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -

ECCN代码 EAR99 - -

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