RN1101ACT(TPL3)和PDTC143EM,315

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RN1101ACT(TPL3) PDTC143EM,315

描述 Trans Digital BJT NPN 50V 80mA 3Pin CST T/RDFN NPN 50V 100mA

数据手册 --

制造商 Toshiba (东芝) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 SOT-883 SOT-883-3

耗散功率 - 0.25 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

最小电流放大倍数(hFE) 30 @10mA, 5V 30 @10mA, 5V

额定功率(Max) 100 mW 250 mW

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 100 mW -

极性 - NPN

集电极最大允许电流 - 100mA

封装 SOT-883 SOT-883-3

高度 - 0.47 mm

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - -

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