TT8U1TR和TT8U2TCR

对比图

型号 TT8U1TR TT8U2TCR

描述 TSST P-CH 20V 2.4ATSST P-CH 20V 2.4A

数据手册 --

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TSST-8 TSST-8

引脚数 8 -

极性 P-CH P-CH

耗散功率 1 W 1.25W (Ta)

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 2.4A 2.4A

输入电容(Ciss) 850pF @10V(Vds) 850pF @10V(Vds)

耗散功率(Max) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta)

通道数 1 -

漏源极电阻 80 mΩ -

漏源击穿电压 20 V -

上升时间 25 ns -

额定功率(Max) 1 W -

下降时间 45 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -

封装 TSST-8 TSST-8

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 Silicon -

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free