ISL6611AIRZ和ISL6611AIRZ-T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ISL6611AIRZ ISL6611AIRZ-T

描述 Phase Doubler with Integrated Drivers and Phase Shedding FunctionMOSFET DRVR 4A 4Out Hi/Lo Side Inv/Non-Inv 16Pin QFN EP T/R

数据手册 --

制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) Intersil (英特矽尔)

分类 稳压芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 VQFN-16 QFN-16

上升/下降时间 8 ns 8 ns

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

输出接口数 - 4

输出电流 - 4 A

上升时间 - 8 ns

下降时间 - 8 ns

工作温度(Max) - 85 ℃

工作温度(Min) - 40 ℃

电源电压(Max) - 5.5 V

封装 VQFN-16 QFN-16

长度 - 4 mm

宽度 - 4 mm

高度 - 0.95 mm

工作温度 -40℃ ~ 125℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free

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