KBP106G和MBL108S-M3/I

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KBP106G MBL108S-M3/I DF04S

描述 Bridge Rectifiers 1A 800V 30A IFSMBridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 800V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MBLS, 4PinBridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 800V V(RRM), Silicon, PLASTIC, DFS, 4Pin

数据手册 ---

制造商 Taiwan Semiconductor (台湾半导体) Vishay Intertechnology Microsemi (美高森美)

分类

基础参数对比

安装方式 Through Hole - -

封装 KBP-4 - -

长度 15.24 mm - -

宽度 3.9 mm - -

高度 11.68 mm - -

封装 KBP-4 - -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

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