FDS6692和FDS6692_NL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS6692 FDS6692_NL

描述 30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET30V N-Channel PowerTrench MOSFET

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SOIC

引脚数 8 -

极性 N-Channel N-CH

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 12.0 A 12A

漏源极电阻 12.0 mΩ -

耗散功率 2.5 W -

漏源击穿电压 -100 V -

栅源击穿电压 ±16.0 V -

上升时间 5 ns -

下降时间 10 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

封装 SOIC-8 SOIC

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -

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