对比图
型号 SI2328DS-T1-E3 SI2328DS-T1-GE3 PMV213SN
描述 VISHAY SI2328DS-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 100 V, 250 mohm, 10 V, 4 VVISHAY SI2328DS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 100 V, 195 mohm, 10 V, 4 VNXP PMV213SN 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.9 A, 100 V, 250 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.25 Ω 0.195 Ω 0.25 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 730 mW 1.25 W 2 W
阈值电压 4 V 4 V 3 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 1.50 A, 1.15 A 1.15 A 1.90 A
上升时间 11 ns 11 ns -
下降时间 10 ns 10 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 0.73 W 1.25 W -
长度 3.04 mm 3.04 mm -
宽度 1.4 mm 1.4 mm -
高度 1.02 mm 1.02 mm -
封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品生命周期 - - Unknown
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17