BFG520W/X和BFG520W/X,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BFG520W/X BFG520W/X,115 BFG520W/XT/R

描述 NPN 9 GHz宽带晶体管 NPN 9 GHz wideband transistorsNXP  BFG520W/X,115  射频晶体管, NPNTransistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Philips (飞利浦)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 4 -

封装 SOT-343 SOT-343 -

频率 - 9000 MHz -

针脚数 - 4 -

极性 - NPN -

耗散功率 - 500 mW -

增益频宽积 - 9000 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) - 15 V -

增益 - 16dB ~ 17dB -

最小电流放大倍数(hFE) - 60 @20mA, 6V -

最大电流放大倍数(hFE) - 60 -

额定功率(Max) - 500 mW -

直流电流增益(hFE) - 120 -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 500 mW -

长度 - 2.2 mm -

宽度 - 1.35 mm -

高度 - 1 mm -

封装 SOT-343 SOT-343 -

材质 - Silicon -

工作温度 - 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -

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