对比图
型号 BFG520W/X BFG520W/X,115 BFG520W/XT/R
描述 NPN 9 GHz宽带晶体管 NPN 9 GHz wideband transistorsNXP BFG520W/X,115 射频晶体管, NPNTransistor
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Philips (飞利浦)
分类 双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 - 4 -
封装 SOT-343 SOT-343 -
频率 - 9000 MHz -
针脚数 - 4 -
极性 - NPN -
耗散功率 - 500 mW -
增益频宽积 - 9000 MHz -
击穿电压(集电极-发射极) - 15 V -
增益 - 16dB ~ 17dB -
最小电流放大倍数(hFE) - 60 @20mA, 6V -
最大电流放大倍数(hFE) - 60 -
额定功率(Max) - 500 mW -
直流电流增益(hFE) - 120 -
工作温度(Max) - 175 ℃ -
工作温度(Min) - -65 ℃ -
耗散功率(Max) - 500 mW -
长度 - 2.2 mm -
宽度 - 1.35 mm -
高度 - 1 mm -
封装 SOT-343 SOT-343 -
材质 - Silicon -
工作温度 - 175℃ (TJ) -
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 - Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
ECCN代码 - EAR99 -