对比图
型号 BSC080N03LSGATMA1 FDS7088N3 FDMS7692A
描述 INFINEON BSC080N03LSGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 53 A, 30 V, 0.0067 ohm, 10 V, 2.2 V30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFETN沟道MOSFET的PowerTrench 30 V ， 8毫欧 N-Channel PowerTrench® MOSFET 30 V, 8 mΩ
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 PG-TDSON-8 SOIC-8 Power-56-8
通道数 1 - 1
漏源极电阻 0.0067 Ω 4.00 mΩ 0.0068 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 35 W 3W (Ta) 2.5 W
阈值电压 2.2 V - 2 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30 V 30.0 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 14A 21.0 A 13.5A
上升时间 2.8 ns 13.0 ns 2.7 ns
输入电容(Ciss) 1300pF @15V(Vds) 3845pF @15V(Vds) 1350pF @15V(Vds)
额定功率(Max) - 1.5 W 2.5 W
下降时间 2.6 ns - 2.3 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 35W (Tc) 3W (Ta) 2.5W (Ta), 27W (Tc)
额定功率 35 W - -
针脚数 8 - -
额定电压(DC) - 30.0 V -
额定电流 - 21.0 A -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
长度 5.9 mm - 6 mm
宽度 5.15 mm - 5 mm
高度 1.27 mm - 1.1 mm
封装 PG-TDSON-8 SOIC-8 Power-56-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99 -