J112RL1和J112RL1G

对比图

型号 J112RL1 J112RL1G J112,126

描述 JFET斩波晶体管N通道 - 耗尽 JFET Chopper Transistors N−Channel - DepletionJFET斩波晶体管N通道 - 耗尽 JFET Chopper Transistors N−Channel - DepletionJFET N-CH 40V 20mA TO92-3

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 JFET晶体管JFET晶体管JFET晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

漏源极电阻 50 Ω 50 Ω 50 Ω

漏源极电压(Vds) 35.0 V 35.0 V 40 V

击穿电压 35 V 35 V 40 V

输入电容(Ciss) - - 6pF @10V(Vgs)

额定功率(Max) 350 mW 350 mW 400 mW

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

耗散功率(Max) - - 400 mW

额定电压(DC) 35.0 V 35.0 V -

额定电流 50.0 mA 50.0 mA -

极性 N-Channel N-Channel -

栅源击穿电压 35.0 V 35.0 V -

宽度 - - 3.2 mm

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

材质 - - Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Box (TB)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free