MS1227和NTE338F

对比图

型号 MS1227 NTE338F SD1285

描述 RF Power Bipolar Transistor, 1Element, High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.38INCH, PLASTIC, M113, 4PinNPN 4A射频与微波晶体管短波单边带应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) NTE Electronics ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管晶体管放大器IC与RF模块

安装方式 Surface Mount - -

引脚数 4 - -

封装 M113 - -

耗散功率 80000 mW - -

输出功率 20.0 W - -

击穿电压(集电极-发射极) 18 V - 18 V

增益 15 dB - -

最小电流放大倍数(hFE) 200 @1A, 5V - -

额定功率(Max) 80 W - -

工作温度(Max) 200 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

耗散功率(Max) 80000 mW - -

极性 - NPN NPN

集电极最大允许电流 - 4A 4.5A

高度 7.11 mm - -

封装 M113 - -

工作温度 200℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active Obsolete Unknown

包装方式 Bulk - -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free