对比图
型号 BF1212,215 BF1212WR,115 BF1212R,215
描述 Trans RF MOSFET N-CH 6V 0.03A 4Pin(3+Tab) SOT-143B T/R射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-CH DUAL GATE 6V射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-CH DUAL GATE 6V
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 晶体管晶体管晶体管
安装方式 - - Surface Mount
引脚数 4 4 4
封装 TO-253-4 SOT-343-4 SOT-143
频率 400 MHz 400 MHz 400 MHz
额定电流 30 mA 30 mA 30 mA
耗散功率 180 mW 180 mW 180 mW
漏源极电压(Vds) 6.00 V 6 V 6 V
增益 30 dB 30 dB 30 dB
测试电流 12 mA 12 mA 12 mA
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 180 mW 180 mW 180 mW
额定电压 6 V 6 V 6 V
极性 N-Channel - -
连续漏极电流(Ids) 30.0 mA - -
长度 - 2.2 mm 3 mm
宽度 - 1.35 mm 1.4 mm
高度 - 1 mm 1 mm
封装 TO-253-4 SOT-343-4 SOT-143
产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free