对比图
型号 CY7C1148KV18-400BZC CY7C1148KV18-400BZXC CY7C1168KV18-400BZXC
描述 18兆位的DDR II + SRAM双字突发架构（ 2.5周期读延迟） 18-Mbit DDR II+ SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)CY7C1148KV 系列 18 Mb (1 M x 18) 1.8 V 400 MHz DDR II SRAM - FBGACY7C1168KV 系列 18 Mb (1 M x 18) 1.8 V 静态 RAM - FBGA-165
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 165 165 165
封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
时钟频率 400 MHz 400 MHz 400 MHz
位数 18 18 18
存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns
工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V
供电电流 - 510 mA 510 mA
存取时间 - 0.45 ns 0.45 ns
电源电压(Max) - 1.9 V 1.9 V
电源电压(Min) - 1.7 V 1.7 V
封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tray Tray Tray
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a -