对比图
型号 IRLZ44NSPBF IRLZ44NSTRLPBF IRLZ44NS
描述 N 通道功率 MOSFET 40A 至 49A，InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。D2PAK N-CH 55V 47A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 D2PAK-263
额定功率 110 W 83 W -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.022 Ω 0.022 Ω 22.0 mΩ (max)
极性 N-Channel N-CH N-CH
耗散功率 110 W 110 W -
阈值电压 2 V 2 V -
输入电容 - 1700 pF -
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 47A 47A 47.0 A
上升时间 84 ns 84 ns 84 ns
输入电容(Ciss) 1700pF @25V(Vds) 1700pF @25V(Vds) 1700pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 3.8 W -
下降时间 15 ns 15 ns 15 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 110W (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) 3800 mW
额定电压(DC) - - 55.0 V
额定电流 - - 47.0 A
产品系列 - - IRLZ44NS
漏源击穿电压 55 V - 55.0V (min)
通道数 1 - -
长度 10.67 mm 10.67 mm -
宽度 9.65 mm 9.65 mm -
高度 4.83 mm 4.83 mm -
封装 TO-263-3 TO-263-3 D2PAK-263
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
材质 - - Silicon
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -