6116LA20SOGI和6116LA25SOG8

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 6116LA20SOGI 6116LA25SOG8 IDT6116SA20SOI

描述 SRAM Chip Async Single 5V 16Kbit 2K x 8 20ns 24Pin SOIC Tube/TraySRAM Chip Async Single 5V 16Kbit 2K x 8 25ns 24Pin SOIC T/RCMOS静态RAM 16K ( 2K ×8位) CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 24 24 -

封装 SOIC-24 SOIC-24 SOIC-24

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

存取时间 - 25 ns -

长度 15.4 mm 15.4 mm -

宽度 7.60 mm 7.60 mm -

封装 SOIC-24 SOIC-24 SOIC-24

厚度 2.34 mm 2.34 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

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