BC848CLT1G和BC848CMTF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC848CLT1G BC848CMTF BC848C

描述 NPN 晶体管,ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.NPN 晶体管,高达 30V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC848C  单晶体管 双极, 通用, NPN, 30 V, 300 MHz, 310 mW, 100 mA, 110 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

针脚数 3 - 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 300 mW 310 mW 310 mW

直流电流增益(hFE) 420 110 110

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

频率 100 MHz 300 MHz -

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -

额定电流 100 mA 100 mA -

增益频宽积 - 300 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V -

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) 420 @2mA, 5V 420 @2mA, 5V -

额定功率(Max) 300 mW 310 mW -

工作温度(Min) -55 ℃ 65 ℃ -

耗散功率(Max) 300 mW 310 mW -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

长度 2.9 mm 2.92 mm -

宽度 1.3 mm 1.3 mm -

高度 0.94 mm 0.93 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2016/06/20 2015/06/15 2015/06/15

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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