2N6426G和BC557BTA

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N6426G BC557BTA

描述 达林顿晶体管NPN硅 Darlington Transistors NPN SiliconON Semiconductor BC557BTA , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=45 V, HFE:110, 150 MHz, 3引脚 TO-92封装

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3

频率 - 150 MHz

针脚数 - 3

耗散功率 1.5 W 0.5 W

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 45 V

最小电流放大倍数(hFE) 30000 @100mA, 5V 200 @2mA, 5V

额定功率(Max) 625 mW 500 mW

直流电流增益(hFE) - 200

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1500 mW 500 mW

额定电压(DC) 40.0 V -

额定电流 500 mA -

极性 NPN -

增益频宽积 - -

集电极最大允许电流 0.5A -

长度 - 4.58 mm

宽度 - 3.86 mm

高度 - 4.58 mm

封装 TO-226-3 TO-226-3

材质 - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown

包装方式 Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - -

REACH SVHC版本 - -

ECCN代码 EAR99 -

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