CIL21N82NMNE和FI-A2012-820MJT

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CIL21N82NMNE FI-A2012-820MJT FI-A2012-820MJB

描述 0805 82nH ±20% 300mA0805 82nH ±20% 300mAGeneral Purpose Inductor, 0.082uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 0805, CHIP

数据手册 ---

制造商 Samsung (三星) Ceratech World Products

分类 贴片电感

基础参数对比

封装(公制) 2012 2012 -

封装 0805 0805 -

额定电流 300 mA 300 mA -

电感 0.082 µH 82 nH -

Q值 15 20 -

电感公差 ±20 % ±20 % -

电阻(DC) 200 mΩ 200 mΩ -

产品系列 CIL - -

工作温度(Max) 125 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

电阻(DC Max) 0.2 Ω - -

长度 2 mm 2 mm -

宽度 1.25 mm 1.25 mm -

封装(公制) 2012 2012 -

封装 0805 0805 -

高度 1.05 mm - -

产品生命周期 Active Unknown Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

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