S4PMHM3/86A和S4PM-M3/86A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 S4PMHM3/86A S4PM-M3/86A S4PM-M3/87A

描述 DIODE GEN PURP 1kV 4A TO277A2A 至 10A采用工业标准封装类型的多用途、高效标准恢复功率二极管。### 二极管和整流器,Vishay SemiconductorDIODE GEN PURP 1kV 4A TO277A

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 TVS二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 -

封装 PowerDFN-3 TO-277 PowerDFN-3

正向电压 1.1V @4A 1.1V @4A 1.1V @4A

反向恢复时间 2.5 µs 2.5 µs 2.5 µs

正向电流 - 4 A -

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 100 A -

正向电压(Max) 1.1V @4A 1.1 V 1.1V @4A

正向电流(Max) - 4 A -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

工作结温 - -55℃ ~ 150℃ -

长度 - 4.35 mm -

宽度 - 6.15 mm -

高度 - 1.2 mm -

封装 PowerDFN-3 TO-277 PowerDFN-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -

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