FQD10N20L和H5N2005DS-E

对比图

型号 FQD10N20L H5N2005DS-E FQD10N20

描述 LOGIC 200V N沟道MOSFET 200V LOGIC N-Channel MOSFETDPAK(S) N-CH 200V 6A200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Renesas Electronics (瑞萨电子) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 DPAK DPAK-252 DPAK

引脚数 - 3 -

极性 N-CH N-CH N-CH

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 7.6A 6A 7.6A

上升时间 - 24 ns -

输入电容(Ciss) - 300pF @25V(Vds) -

下降时间 - 11 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 25000 mW -

封装 DPAK DPAK-252 DPAK

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

材质 - Silicon -

RoHS标准 - RoHS Compliant -